要做到 600 层的 3D NAND Flash，需要在技能方面做更多立异打破，其间一个重点是参加原子层堆积 (ALD) 技能，能在仓库层数大幅度提高后仍然坚持电荷一致性。
此外，未处理薄膜应力 film stress 问题，SK Hynix 参加了独立的电荷阱氮化物 (CTN) 结构，处理仓库层数添加后存储单元之间的搅扰，电荷丢掉问题。
更多的仓库层数打破，意味着单颗 NAND Flash 颗粒容量能到达 8TB 乃至更高，这的确有点吓人。
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